檢索結果：共27筆資料 檢索策略： "Voltage-Controlled Oscillator".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="壓控振盪器"
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本論文的目標是在研究與實現頻率合成器裡的兩個主要電路，即壓控振盪器和注入鎖定除頻器。本論文裡實現了三個壓控振盪器和兩個注入鎖定除頻器。 在第一個壓控振盪器裡，我們使用對稱型的三維（3-D）電感來實現…
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首先，學生提出了一個低相位雜訊的CMOS壓控振盪器，其使用的是左手LC網路和一對開關式的可變電容。由台積電0.18μm製程晶片面積為0.435 0.809 。此晶片為雙頻帶，低頻(高頻)的可調範圍從…
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本論文係使用TSMC 0.18-µm CMOS製程研製三型應用於5.8 GHz非接觸式生理訊號雷達感測系統之壓控振盪器，分別為互補式交叉耦合對壓控振盪器、低功耗電流再利用壓控振盪器及電流再利用正交壓…
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本論文描述一個操作於2.16GHz的功率放大器。功率放大器的製作是使用台灣積體電路公司的0.35um 2P4M CMOS製程。功率放大器的架構是一個兩級的電路，並採用self-biased的架構來減…
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本論文以環形濾波器作為迴授振盪器的迴路選頻元件，實現低相位雜訊之固定式與壓控式振盪器。論文中使用「複數品質因數」作為選擇振盪頻率之依據，以有效設計振盪器的相位雜訊效能。實驗證明可調濾波器能夠實現低相…
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本論文提出三個電路，第一個電路先描述一個超寬鎖頻範圍除三注入鎖定 除頻器，是使用TSMC 0.18 μm CMOS 製程。此注入鎖定除頻器是使用雙諧振 LC 共振腔以及線性混波器來擴展鎖頻範圍。量測…
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此論文提出了一個壓控振盪器和二個注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.18微米和0.35微米CMOS製程去實現。 在壓控振盪器裡，此振盪器包含兩個由pmos為中心所組成的考畢子壓控振盪器單端V…
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在射頻收發機裡，鎖相迴路的特性非常重要，鎖相迴路內包含了頻率相位偵測器、充電幫浦、迴路濾波器、壓控振盪器、除頻器，為了追求低功耗，低相位雜訊，較寬的工作頻率範圍，其中又以壓控振盪器和除頻器特性最重要…
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此論文提出了二個壓控振盪器和四個注入鎖定除頻器，它們分別使用了標準台積電0.18微米和聯電0.18微米CMOS製程去實現。 在壓控振盪器裡，第一個振盪器是有背閘極耦合技術的互補式考畢子壓控振盪器。振…
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此論文提出了三個電路，第一個是一個寬鎖頻範圍鎖定除四除頻器，第二是一個低電壓相位雜訊壓空震盪器，最後是一個合併雙頻注入鎖定除二除頻器，三者皆使用了標準台積電0.18微米製程去實現。 在大範圍鎖定除四…